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NE68618

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小185KB,共1页
制造商NEC(日电)
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NE68618概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN,

NE68618规格参数

参数名称属性值
厂商名称NEC(日电)
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.01 A
配置SINGLE
最高频带S BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量1
端子数量4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)15000 MHz

NE68618相似产品对比

NE68618 NE68518
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN,
厂商名称 NEC(日电) NEC(日电)
Reach Compliance Code unknown unknown
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.01 A 0.03 A
配置 SINGLE SINGLE
最高频带 S BAND S BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
元件数量 1 1
端子数量 4 4
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 15000 MHz 12000 MHz

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