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AT-42000-GP6

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, C Band, Silicon, NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小89KB,共3页
制造商Hewlett Packard Co
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AT-42000-GP6概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, C Band, Silicon, NPN

AT-42000-GP6规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hewlett Packard Co
包装说明UNCASED CHIP, S-XUUC-N2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.08 A
集电极-发射极最大电压12 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
最高频带C BAND
JESD-30 代码S-XUUC-N2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值0.6 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)9000 MHz

AT-42000-GP6相似产品对比

AT-42000-GP6 AT-42000-GP2
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, C Band, Silicon, NPN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, C Band, Silicon, NPN
厂商名称 Hewlett Packard Co Hewlett Packard Co
包装说明 UNCASED CHIP, S-XUUC-N2 UNCASED CHIP, S-XUUC-N2
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.08 A 0.08 A
集电极-发射极最大电压 12 V 12 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30 30
最高频带 C BAND C BAND
JESD-30 代码 S-XUUC-N2 S-XUUC-N2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 200 °C 200 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 SQUARE SQUARE
封装形式 UNCASED CHIP UNCASED CHIP
极性/信道类型 NPN NPN
功耗环境最大值 0.6 W 0.6 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 UPPER UPPER
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 9000 MHz 9000 MHz

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