RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, C Band, Silicon, NPN
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Hewlett Packard Co |
包装说明 | UNCASED CHIP, S-XUUC-N2 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 0.08 A |
集电极-发射极最大电压 | 12 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 30 |
最高频带 | C BAND |
JESD-30 代码 | S-XUUC-N2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 200 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | UNCASED CHIP |
极性/信道类型 | NPN |
功耗环境最大值 | 0.6 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | UPPER |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 9000 MHz |
AT-42000-GP6 | AT-42000-GP2 | |
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描述 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, C Band, Silicon, NPN | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, C Band, Silicon, NPN |
厂商名称 | Hewlett Packard Co | Hewlett Packard Co |
包装说明 | UNCASED CHIP, S-XUUC-N2 | UNCASED CHIP, S-XUUC-N2 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 0.08 A | 0.08 A |
集电极-发射极最大电压 | 12 V | 12 V |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 30 | 30 |
最高频带 | C BAND | C BAND |
JESD-30 代码 | S-XUUC-N2 | S-XUUC-N2 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 |
最高工作温度 | 200 °C | 200 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装形状 | SQUARE | SQUARE |
封装形式 | UNCASED CHIP | UNCASED CHIP |
极性/信道类型 | NPN | NPN |
功耗环境最大值 | 0.6 W | 0.6 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
端子位置 | UPPER | UPPER |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 9000 MHz | 9000 MHz |
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