Quad Precision Single Supply Low-Power Operational Amplifier 14-CDIP -55 to 125
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | CERAMIC, DIP-14 |
| 针数 | 14 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.035 µA |
| 标称共模抑制比 | 91 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 3750 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T14 |
| 长度 | 19.56 mm |
| 低-偏置 | YES |
| 低-失调 | NO |
| 微功率 | YES |
| 功能数量 | 4 |
| 端子数量 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5/10 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 标称压摆率 | 0.43 V/us |
| 最大压摆率 | 2 mA |
| 供电电压上限 | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 525 kHz |
| 最小电压增益 | 15000 |
| 宽度 | 7.62 mm |
| TLC27M9MJB | TLC27M9MJ | TLC27M4MFKB | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Quad Precision Single Supply Low-Power Operational Amplifier 14-CDIP -55 to 125 | Quad Precision Single Supply Low-Power Operational Amplifier 14-CDIP -55 to 125 | Quad Precision Single Supply Low-Power Operational Amplifier 20-LCCC -55 to 125 |
| Brand Name | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DIP | DIP | QLCC |
| 包装说明 | CERAMIC, DIP-14 | DIP, DIP14,.3 | QCCN, LCC20,.35SQ |
| 针数 | 14 | 14 | 20 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.035 µA | 0.035 µA | 0.035 µA |
| 标称共模抑制比 | 91 dB | 91 dB | 91 dB |
| 频率补偿 | YES | YES | YES |
| 最大输入失调电压 | 3750 µV | 3750 µV | 12000 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T14 | R-GDIP-T14 | S-CQCC-N20 |
| 长度 | 19.56 mm | 19.56 mm | 8.89 mm |
| 低-偏置 | YES | YES | YES |
| 低-失调 | NO | NO | NO |
| 微功率 | YES | YES | YES |
| 功能数量 | 4 | 4 | 4 |
| 端子数量 | 14 | 14 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP | DIP | QCCN |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 | DIP14,.3 | LCC20,.35SQ |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | SQUARE |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5/10 V | 5/10 V | 5/10 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 5.08 mm | 2.03 mm |
| 标称压摆率 | 0.43 V/us | 0.43 V/us | 0.4 V/us |
| 最大压摆率 | 2 mA | 2 mA | 2 mA |
| 供电电压上限 | 18 V | 18 V | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | NO LEAD |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 525 kHz | 525 kHz | 525 kHz |
| 最小电压增益 | 15000 | 25000 | 15000 |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm | 8.89 mm |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | - | 38535Q/M;38534H;883B |
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