Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> JANHCA2N6756

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JANHCA2N6756: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小635KB，共25页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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JANHCA2N6756概述

Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3

JANHCA2N6756规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	DIE-3
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (ID)	14 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-XUUC-N3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	56 A
认证状态	Qualified
参考标准	MIL-19500/542G
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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The documentation and process conversion

measures necessary to comply with this revision

shall be completed by 22 December 2011.

INCH-POUND

MIL-PRF-19500/542J

22 September 2011

SUPERSEDING

MIL-PRF-19500/542H

26 April 2010

PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET

SEMICONDUCTOR DEVICE, TRANSISTOR, FIELD EFFECT, N-CHANNEL,

SILICON, TYPES 2N6756, 2N6758, 2N6760, 2N6762,

JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC, AND JANKC

This specification is approved for use by all Departments

and Agencies of the Department of Defense.

The requirements for acquiring the product described herein shall consist of

this specification sheet and

MIL-PRF-19500.

1. SCOPE

1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for N-channel, enhancement-mode, MOSFET,

power transistors. Four levels of product assurance are provided for each encapsulated device type as specified in

MIL-PRF-19500

and two levels of product assurance are provided for each unencapsulated device type.

1.2 Physical dimensions. See

figure 1

(TO-204AA; formerly TO-3),

figure 2,

and

for JANHC and JANKC die

dimensions. See

6.6

for unencapsulated device types.

1.3 Maximum ratings. Unless otherwise specified, T

= +25°C.

(1)

Type

+25°C

2N6756

2N6758

2N6760

2N6762

Type

(4)

A dc

2N6756

2N6758

2N6760

2N6762

14.0

9.0

5.5

4.5

A (pk)

°C

-55 to +150

+25°C

(free air)

= +25°C

V dc

100

200

400

500

V dc

100

200

400

500

ISO

100,000

feet

altitude

V dc

A dc

14.0

9.0

5.5

4.5

= +100°C

A dc

9.0

6.0

3.5

3.0

max

= +25°C

ohms

0.18

0.4

1.0

1.5

= +150°C

ohms

0.36

0.84

2.5

3.75

°C/W

1.67

(2) (3)

(2)

and T

STG

Max r

DS(on)

(1)

= 10 V dc, I

= I

400

500

See notes on next page.

* Comments, suggestions, or questions on this document should be addressed to DLA Land and Maritime,

ATTN: VAC, P.O. Box 3990, Columbus, OH 43218-3990, or emailed to

Semiconductor@dla.mil.

Since contact

information can change, you may want to verify the currency of this address information using the ASSIST

Online database at

https://assist.daps.dla.mil/.

AMSC N/A

FSC 5961

MIL-PRF-19500/542J

2.2 Government documents.

2.2.1 Specifications, standards, and handbooks. The following specifications, standards, and handbooks form a

part of this document to the extent specified herein. Unless otherwise specified, the issues of these documents are

those cited in the solicitation or contract.

DEPARTMENT OF DEFENSE SPECIFICATIONS

MIL-PRF-19500

Semiconductor Devices, General Specification for.

DEPARTMENT OF DEFENSE STANDARDS

MIL-STD-750

Test Methods for Semiconductor Devices.

(Copies of these documents are available online at

https://assist.daps.dla.mil/quicksearch/

https://assist.daps.dla.mil/

or from the Standardization Document Order Desk, 700 Robbins Avenue, Building 4D,

Philadelphia, PA 19111-5094.)

2.3 Order of precedence. Unless otherwise noted herein or in the contract, in the event of a conflict between the

text of this document and the references cited herein, the text of this document takes precedence. Nothing in this

document, however, supersedes applicable laws and regulations unless a specific exemption has been obtained.

3. REQUIREMENTS

3.1 General. The individual item requirements shall be as specified in

MIL-PRF-19500

and as modified herein.

3.2 Qualification. Devices furnished under this specification shall be products that are manufactured by a

manufacturer authorized by the qualifying activity for listing on the applicable qualified manufacturer's list (QML)

before contract award (see

4.2

and

6.3).

3.3 Abbreviations, symbols, and definitions. Abbreviations, symbols, and definitions used herein shall be as

specified in

MIL-PRF-19500.

nC ............................ nano coulomb.

............................ Rated avalanche current, non-repetitive.

3.4 Interface and physical dimensions. Interface and physical dimensions shall be as specified in

MIL-PRF-19500,

and on

figure 1

(TO-204AA; formerly TO-3),

figures 2,

and

for JANHC and JANKC die dimensions.

3.4.1 Lead finish. Lead finish shall be solderable in accordance with

MIL-PRF-19500, MIL-STD-750,

and herein.

Where a choice of lead finish is desired, it shall be specified in the acquisition document (see

6.2).

3.4.2 Internal construction. Multiple chip construction is not permitted to meet the requirements of this

specification.

3.5 Marking. Marking shall be in accordance with

MIL-PRF-19500.

JANHCA2N6756相似产品对比

	JANHCA2N6756	JANHCA2N6758	JANHCA2N6760	JANTXV2N6760	JANTX2N6758	317-41-108-41-005000	JANTXV2N6758
描述	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN	Interconnect Socket Elevated Strip Socket	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	-	不符合
包装说明	DIE-3	DIE-3	DIE-3	TO-3, 2 PIN	TO-3, 2 PIN	-	TO-3, 2 PIN
Reach Compliance Code	compli	compli	unknown	unknown	unknown	-	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	-	-	EAR99	-	EAR99
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	-	DRAIN
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V	200 V	400 V	400 V	200 V	-	200 V
最大漏极电流 (ID)	14 A	9 A	5.5 A	5.5 A	9 A	-	9 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-XUUC-N3	R-XUUC-N3	R-XUUC-N3	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	-	O-MBFM-P2
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	-	e0
元件数量	1	1	1	1	1	-	1
端子数量	3	3	3	2	2	-	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	-	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	-	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	METAL	METAL	-	METAL
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	ROUND	ROUND	-	ROUND
封装形式	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	-	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	75 W	75 W	75 W	75 W	75 W	-	75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	56 A	36 A	22 A	22 A	36 A	-	36 A
认证状态	Qualified	Qualified	Qualified	Qualified	Qualified	-	Qualified
参考标准	MIL-19500/542G	MIL-19500/542G	MIL-19500/542G	MIL-19500/542	MIL-19500/542	-	MIL-19500/542
表面贴装	YES	YES	YES	NO	NO	-	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	PIN/PEG	PIN/PEG	-	PIN/PEG
端子位置	UPPER	UPPER	UPPER	BOTTOM	BOTTOM	-	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	-	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	-	SILICON
Base Number Matches	1	1	1	1	1	-	-
最大漏极电流 (Abs) (ID)	-	9 A	5.5 A	5.5 A	9 A	-	9 A
厂商名称	-	-	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	-	Infineon(英飞凌)

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