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INA111APG4

产品描述High Speed FET-Input Instrumentation Amplifier 8-PDIP
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小754KB,共16页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
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INA111APG4概述

High Speed FET-Input Instrumentation Amplifier 8-PDIP

INA111APG4规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码DIP
包装说明DIP-8
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks
放大器类型INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)0.00002 µA
标称带宽 (3dB)2 MHz
最小共模抑制比75 dB
最大输入失调电流 (IIO)0.00001 µA
最大输入失调电压6000 µV
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e4
长度9.81 mm
负供电电压上限-18 V
标称负供电电压 (Vsup)-15 V
最大非线性0.04%
功能数量1
端子数量8
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
包装方法TUBE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源+-15 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
标称压摆率17 V/us
最大压摆率4.5 mA
供电电压上限18 V
标称供电电压 (Vsup)15 V
表面贴装NO
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压增益10000
最小电压增益1
标称电压增益10
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

INA111APG4相似产品对比

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描述 High Speed FET-Input Instrumentation Amplifier 8-PDIP High Speed FET-Input Instrumentation Amplifier 16-SOIC High Speed FET-Input Instrumentation Amplifier 16-SOIC -40 to 85 High Speed FET-Input Instrumentation Amplifier 8-PDIP High Speed FET-Input Instrumentation Amplifier 8-PDIP High Speed FET-Input Instrumentation Amplifier 16-SOIC -40 to 85 High Speed FET-Input Instrumentation Amplifier 8-PDIP High Speed FET-Input Instrumentation Amplifier 16-SOIC IC OPAMP INSTR 2MHZ 16SOIC IC OPAMP INSTR 2MHZ 16SOIC
放大器类型 INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER 仪表 仪表
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments - -
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 - 不含铅 - -
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 - -
零件包装代码 DIP SOIC SOIC DIP DIP SOIC DIP SOIC - -
包装说明 DIP-8 SOP, SOP16,.25 SOP, SOP16,.25 DIP, DIP8,.3 DIP, DIP8,.3 SOP, SOP16,.25 GREEN, PLASTIC, DIP-8 SOIC-16 - -
针数 8 16 16 8 8 16 8 16 - -
Reach Compliance Code compliant compli compli compli compli compli compliant compliant - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - -
Factory Lead Time 6 weeks 1 week 1 week 1 week 1 week 6 weeks - 6 weeks - -
最大平均偏置电流 (IIB) 0.00002 µA 0.00002 µA 0.00002 µA 0.00002 µA 0.00002 µA 0.00002 µA 0.00002 µA 0.00002 µA - -
标称带宽 (3dB) 2 MHz 2 MHz 2 MHz 2 MHz 2 MHz 2 MHz 2 MHz 2 MHz - -
最小共模抑制比 75 dB 80 dB 75 dB 80 dB 75 dB 75 dB 80 dB 80 dB - -
最大输入失调电流 (IIO) 0.00001 µA 0.00001 µA 0.00001 µA 0.00001 µA 0.00001 µA 0.00001 µA 0.00001 µA 0.00001 µA - -
最大输入失调电压 6000 µV 2500 µV 6000 µV 2500 µV 6000 µV 6000 µV 2500 µV 2500 µV - -
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 R-PDSO-G16 R-PDSO-G16 R-PDIP-T8 R-PDIP-T8 R-PDSO-G16 R-PDIP-T8 R-PDSO-G16 - -
JESD-609代码 e4 e4 e4 e4 e4 e4 e4 e4 - -
长度 9.81 mm 10.3 mm 10.3 mm 9.81 mm 9.81 mm 10.3 mm 9.81 mm 10.3 mm - -
负供电电压上限 -18 V -18 V -18 V -18 V -18 V -18 V -18 V -18 V - -
标称负供电电压 (Vsup) -15 V -15 V -15 V -15 V -15 V -15 V -15 V -15 V - -
最大非线性 0.04% 0.02% 0.04% 0.02% 0.04% 0.04% 0.02% 0.02% - -
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 - -
端子数量 8 16 16 8 8 16 8 16 - -
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C - -
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C - -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - -
封装代码 DIP SOP SOP DIP DIP SOP DIP SOP - -
封装等效代码 DIP8,.3 SOP16,.25 SOP16,.25 DIP8,.3 DIP8,.3 SOP16,.25 DIP8,.3 SOP16,.25 - -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - -
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE - -
包装方法 TUBE TUBE TUBE TUBE TUBE TUBE - TUBE - -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260 NOT SPECIFIED 260 - -
电源 +-15 V +-15 V +-15 V +-15 V +-15 V +-15 V +-15 V +-15 V - -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - -
座面最大高度 5.08 mm 2.65 mm 2.65 mm 5.08 mm 5.08 mm 2.65 mm 5.08 mm 2.65 mm - -
标称压摆率 17 V/us 17 V/us 17 V/us 17 V/us 17 V/us 17 V/us 17 V/us 17 V/us - -
最大压摆率 4.5 mA 4.5 mA 4.5 mA 4.5 mA 4.5 mA 4.5 mA 4.5 mA 4.5 mA - -
供电电压上限 18 V 18 V 18 V 18 V 18 V 18 V 18 V 18 V - -
标称供电电压 (Vsup) 15 V 15 V 15 V 15 V 15 V 15 V 15 V 15 V - -
表面贴装 NO YES YES NO NO YES NO YES - -
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL - -
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) - -
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING - -
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm - -
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL - -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
最大电压增益 10000 10000 10000 10000 10000 10000 10000 10000 - -
最小电压增益 1 1 1 1 1 1 1 1 - -
标称电压增益 10 10 10 10 10 10 10 10 - -
宽度 7.62 mm 7.5 mm 7.5 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.5 mm 7.62 mm 7.5 mm - -
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1 - -

与INA111APG4功能相似器件

器件名 厂商 描述
INA111AP Texas Instruments(德州仪器) High Speed FET-Input Instrumentation Amplifier 8-PDIP
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