Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
参数名称 | 属性值 |
零件包装代码 | MODULE |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 |
针数 | 7 |
Reach Compliance Code | unknow |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 200 A |
集电极-发射极最大电压 | 600 V |
配置 | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND CUR LIMITING CIRCUIT |
最大降落时间(tf) | 350 ns |
JESD-30 代码 | R-XUFM-X7 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 7 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 1600 W |
最大功率耗散 (Abs) | 800 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 600 ns |
标称接通时间 (ton) | 600 ns |
VCEsat-Max | 2.8 V |
Base Number Matches | 1 |
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