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CFH120-06: 产品描述Preliminary Datasheet; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小242KB，共20页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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CFH120-06概述

Preliminary Datasheet

CFH120-06规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Infineon(英飞凌)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数	4
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOW NOISE
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	3 V
最大漏极电流 (ID)	0.04 A
FET 技术	HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带	K BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-G4
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	4
工作模式	DEPLETION MODE
最高工作温度	85 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	0.18 W
最小功率增益 (Gp)	11.5 dB
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	GALLIUM ARSENIDE

CFH120-06相似产品对比

	CFH120-06	CFH120	CFH120-08	CFH120-10
描述	Preliminary Datasheet	Preliminary Datasheet	Preliminary Datasheet	Preliminary Datasheet
厂商名称	Infineon(英飞凌)	-	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	-	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数	4	-	4	4
Reach Compliance Code	compli	-	compli	compli
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99
其他特性	LOW NOISE	-	LOW NOISE	LOW NOISE
配置	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE
最小漏源击穿电压	3 V	-	3 V	3 V
最大漏极电流 (ID)	0.04 A	-	0.04 A	0.04 A
FET 技术	HIGH ELECTRON MOBILITY	-	HIGH ELECTRON MOBILITY	HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带	K BAND	-	K BAND	K BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-G4	-	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4
JESD-609代码	e3	-	e3	e3
元件数量	1	-	1	1
端子数量	4	-	4	4
工作模式	DEPLETION MODE	-	DEPLETION MODE	DEPLETION MODE
最高工作温度	85 °C	-	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	0.18 W	-	0.18 W	0.18 W
最小功率增益 (Gp)	11.5 dB	-	11.5 dB	10.5 dB
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	-	YES	YES
端子面层	MATTE TIN	-	MATTE TIN	MATTE TIN
端子形式	GULL WING	-	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	-	DUAL	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER	-	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	GALLIUM ARSENIDE	-	GALLIUM ARSENIDE	GALLIUM ARSENIDE

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