7140LA55CI,7140LA55CI pdf中文资料,7140LA55CI引脚图,7140LA55CI电路-Datasheet-电子工程世界

7140LA55CI: 产品描述Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, CDIP48, SIDE BRAZED, DIP-48; 产品类别存储存储; 文件大小153KB，共19页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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7140LA55CI概述

Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, CDIP48, SIDE BRAZED, DIP-48

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	DIP
包装说明	SIDE BRAZED, DIP-48
针数	48
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	55 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-CDIP-T48
JESD-609代码	e0
长度	60.96 mm
内存密度	8192 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	48
字数	1024 words
字数代码	1000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP48,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.826 mm
最大待机电流	0.004 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	15.24 mm

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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