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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> JAN2N6989U
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JAN2N6989U

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LEADLESS PACKAGE-20
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小57KB，共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JAN2N6989U概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LEADLESS PACKAGE-20

JAN2N6989U规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码LCC
包装说明CHIP CARRIER, S-XQCC-N20
针数20
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.8 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码S-XQCC-N20
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量20
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/559
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间（toff）300 ns
最大开启时间（吨）35 ns
Base Number Matches1

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TECHNICAL DATA
MULTIPLE (QUAD) NPN SILICON DUAL IN-LINE AND FLATPACK
SWITCHING TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/559
Devices
2N6989
2N6989U
2N6990
Qualified Level
JAN
JANTX
JANTXV
JANS
MAXIMUM RATINGS
(1)
Ratings
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
(3)
Emitter-Base Voltage
(3)
Collector Current
(3)
Total Power Dissipation
(3)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
Value
50
75
6.0
800
1.5
1.0
0.4
-65 to +200
Units
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
W
20 PIN LEADLESS*
0
TO- 116*
2N6989
T
op
,
T
stg
1) Maximum voltage between transistors shall be
≥
500 Vdc
2) Derate linearly 8.57 mW/
0
C above T
A
= +25
0
C for 2N6989 and 2N6989U
Derate linearly 2.286 mW/
0
C above T
A
= +25
0
C for 2N6990
Ratings apply to total package.
3) Ratings apply to each transistor in the array.
@ T
A
= +25
0
C
2N6989
(2)
2N6989U
(2)
2N6990
(2)
Operating & Storage Junction Temperature Range
C
2N6989U
14 PIN FLAT PACK*
2N6990
*See appendix A for package
outline
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
0
C unless otherwise noted)
Characteristics
Symbol
V
(BR)
CEO
I
CBO
Min.
50
10
10
10
10
Max.
Unit
Vdc
ηAdc
µAdc
ηAdc
µAdc
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
C
= 10 mAdc
Collector-Base Cutoff Current
V
CB
= 60 Vdc
V
CB
= 75 Vdc; I
c
= 10
µAdc
Emitter-Base Cutoff Current
V
EB
= 4.0Vdc
V
EB
= 6.0Vdc; I
c
= 10
µAdc
I
EBO
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
120101
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JAN2N6989U相似产品对比

JAN2N6989U JANS2N6990 JANS2N6989U
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LEADLESS PACKAGE-20 Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, FLAT PACK-14 Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LEADLESS PACKAGE-20
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 LCC DFP LCC
包装说明 CHIP CARRIER, S-XQCC-N20 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F14 CHIP CARRIER, S-XQCC-N20
针数 20 14 20
Reach Compliance Code compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.8 A 0.8 A 0.8 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30 30 30
JESD-30 代码 S-XQCC-N20 R-PDSO-F14 S-XQCC-N20
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
端子数量 20 14 20
封装主体材料 UNSPECIFIED PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED
封装形状 SQUARE RECTANGULAR SQUARE
封装形式 CHIP CARRIER SMALL OUTLINE CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN
认证状态 Qualified Qualified Qualified
参考标准 MIL-19500/559 MIL-19500/559 MIL-19500/559
表面贴装 YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 NO LEAD FLAT NO LEAD
端子位置 QUAD DUAL QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间（toff） 300 ns 300 ns 300 ns
最大开启时间（吨） 35 ns 35 ns 35 ns
Base Number Matches 1 1 1

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