IC,SRAM,256X1,TTL,DIP,16PIN,PLASTIC
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 50 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 1 |
| 端子数量 | 16 |
| 字数 | 256 words |
| 字数代码 | 256 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 256X1 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | TTL |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| DM74S200N/A+ | DM74S200J/A+ | |
|---|---|---|
| 描述 | IC,SRAM,256X1,TTL,DIP,16PIN,PLASTIC | IC,SRAM,256X1,TTL,DIP,16PIN,CERAMIC |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 | DIP, DIP16,.3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 最长访问时间 | 50 ns | 50 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 | R-XDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 16 | 16 |
| 字数 | 256 words | 256 words |
| 字数代码 | 256 | 256 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 256X1 | 256X1 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | TTL | TTL |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
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