Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 1200V, 0.29ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MODULE-12
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Microsemi |
零件包装代码 | MODULE |
包装说明 | MODULE-12 |
针数 | 12 |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 3000 mJ |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
最小漏源击穿电压 | 1200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 34 A |
最大漏极电流 (ID) | 34 A |
最大漏源导通电阻 | 0.29 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-XUFM-X12 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 12 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 780 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 136 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
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