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APT10026L2FLLG: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1000V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264MAX, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小104KB，共5页; 制造商ADPOW; 官网地址http://www.advancedpower.com/

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Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1000V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264MAX, 3 PIN

	APT10026L2FLLG
描述	Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1000V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264MAX, 3 PIN
厂商名称	ADPOW
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code	unknown
雪崩能效等级（Eas）	3200 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	1000 V
最大漏极电流 (ID)	38 A
最大漏源导通电阻	0.26 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSIP-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	152 A
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ