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APT26RF40BN

产品描述26A, 400V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小462KB,共1页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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APT26RF40BN概述

26A, 400V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247

APT26RF40BN规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
最小漏源击穿电压400 V
最大漏极电流 (ID)26 A
最大漏源导通电阻0.2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-247
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值310 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON

APT26RF40BN相似产品对比

APT26RF40BN
描述 26A, 400V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
厂商名称 Microsemi
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 400 V
最大漏极电流 (ID) 26 A
最大漏源导通电阻 0.2 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-247
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
功耗环境最大值 310 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
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