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DE28F800F3T125

产品描述Flash, 512KX16, 30ns, PDSO56, 16 X 23.70 MM, SSOP-56
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文件大小290KB,共48页
制造商Intel(英特尔)
官网地址http://www.intel.com/
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DE28F800F3T125概述

Flash, 512KX16, 30ns, PDSO56, 16 X 23.70 MM, SSOP-56

DE28F800F3T125规格参数

参数名称属性值
零件包装代码SSOP
包装说明16 X 23.70 MM, SSOP-56
针数56
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间30 ns
其他特性MIN 100,000 BLOCK ERASE CYCLES; TOP BOOT BLOCK
启动块TOP
JESD-30 代码R-PDSO-G56
长度23.7 mm
内存密度8388608 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
端子数量56
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SSOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
并行/串行PARALLEL
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.9 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
类型NOR TYPE
宽度13.3 mm
Base Number Matches1

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3 Volt Fast Boot Block Flash Memory
28F800F3—Automotive
Preliminary Datasheet
Product Features
s
s
s
s
s
High Performance
— Up to 50 MHz Effective Zero Wait-State
Performance
— Synchronous Burst-Mode Reads
— Asynchronous Page-Mode Reads
SmartVoltage Technology
— 3.0 V−3.6 V Read and Write Operations for
Low Power Designs
— 12 V V
PP
Fast Factory Programming
Flexible I/O Voltage
— 1.65 V I/O Reduces Overall System Power
Consumption
5 V-Safe I/O Enables Interfacing to
5 V Devices
s
s
s
s
s
s
Enhanced Data Protection
— Absolute Write Protection with
V
PP
= GND
— Block Locking
— Block Erase/Program Lockout during Power
Transitions
s
Manufactured on ETOX™ V Flash Technology
Supports Code Plus Data Storage
— Optimized for Flash Data Integrator (FDI)
and other Intel
®
Software
— Fast Program Suspend Capability
— Fast Erase Suspend Capability
Flexible Blocking Architecture
— Eight 4-Kword Blocks for Data
— 32-Kword Main Blocks for Code
— Top or Bottom Boot Configurations
Extended Cycling Capability
Low Power Consumption
Automated Program and Block Erase
Algorithms
— Command User Interface for Automation
— Status Register for System Feedback
Industry-Standard Packaging
— 56-Lead SSOP
— Intel
®
Easy BGA
The Intel
®
3 Volt Fast Boot Block Flash memory offers the highest performance synchronous burst reads—
making it an ideal memory solution for burst CPUs. The Intel 3 Volt Fast Boot Block Flash memory also
supports asynchronous page mode operation for non-clocked memory subsystems. Combining high read
performance with the intrinsic nonvolatility of flash memory eliminates the traditional redundant memory
paradigm of shadowing code from a slower nonvolatile storage source to a faster execution memory device,
(e.g., SRAM SDRAM), for improved system performance. By adding 3 Volt Fast Boot Block Flash
memory to your system you could reduce the total memory requirement, which helps increase reliability
and reduce overall system power consumption—all while reducing system cost.
This family of products is manufactured on Intel
®
0.4
µm
ETOX™ V process technology. They are
available in a wide variety of industry-standard packaging technologies.
Notice:
This document contains preliminary information on new products in production. The
specifications are subject to change without notice. Verify with your local Intel sales office that
you have the latest datasheet before finalizing a design.
Order Number: 290686-001
October 1999

DE28F800F3T125相似产品对比

DE28F800F3T125 DE28F800F3B125
描述 Flash, 512KX16, 30ns, PDSO56, 16 X 23.70 MM, SSOP-56 Flash, 512KX16, 30ns, PDSO56, 16 X 23.70 MM, SSOP-56
零件包装代码 SSOP SSOP
包装说明 16 X 23.70 MM, SSOP-56 16 X 23.70 MM, SSOP-56
针数 56 56
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
最长访问时间 30 ns 30 ns
其他特性 MIN 100,000 BLOCK ERASE CYCLES; TOP BOOT BLOCK MIN 100,000 BLOCK ERASE CYCLES; BOTTOM BOOT BLOCK
启动块 TOP BOTTOM
JESD-30 代码 R-PDSO-G56 R-PDSO-G56
长度 23.7 mm 23.7 mm
内存密度 8388608 bi 8388608 bi
内存集成电路类型 FLASH FLASH
内存宽度 16 16
功能数量 1 1
端子数量 56 56
字数 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 512KX16 512KX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SSOP SSOP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
编程电压 3 V 3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.9 mm 1.9 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL
类型 NOR TYPE NOR TYPE
宽度 13.3 mm 13.3 mm
Base Number Matches 1 1
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