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2SK3009-4100

产品描述Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, STO-220, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小75KB,共1页
制造商SHINDENGEN
官网地址https://www.shindengen.com
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2SK3009-4100概述

Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, STO-220, 3 PIN

2SK3009-4100规格参数

参数名称属性值
零件包装代码SFM
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (ID)8 A
最大漏源导通电阻1.2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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