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2SK1663-S

产品描述Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TPACK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小180KB,共2页
制造商Fuji Electric Co Ltd
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2SK1663-S概述

Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TPACK-3

2SK1663-S规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3 A
最大漏极电流 (ID)3 A
最大漏源导通电阻4 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)80 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)12 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

2SK1663-S相似产品对比

2SK1663-S 2SK1663-L
描述 Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TPACK-3 Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TPACK-3
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 800 V 800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 3 A 3 A
最大漏极电流 (ID) 3 A 3 A
最大漏源导通电阻 4 Ω 4 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3
元件数量 1 1
端子数量 2 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 80 W 80 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 12 A 12 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1

 
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