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HGT1S12N60B3DS

产品描述27A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小520KB,共7页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HGT1S12N60B3DS概述

27A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB

HGT1S12N60B3DS规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码D2PAK
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Code_compli
其他特性LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)27 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值6 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)104 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)392 ns
标称接通时间 (ton)45 ns
Base Number Matches1
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