Insulated Gate Bipolar Transistor, 27A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code | compli |
| 其他特性 | LOW CONDUCTION LOSS |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 27 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 600 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大降落时间（tf） | 175 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值 | 6 V |
| 门极-发射极最大电压 | 20 V |
| JEDEC-95代码 | TO-263AB |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 104 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 392 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 45 ns |
| Base Number Matches | 1 |
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