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BUZ173

产品描述Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小83KB,共8页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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BUZ173概述

Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

BUZ173规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)200 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3 A
最大漏极电流 (ID)3.6 A
最大漏源导通电阻1.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)14 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
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