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2SK2489-4102

产品描述Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 180V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小94KB,共1页
制造商SHINDENGEN
官网地址https://www.shindengen.com
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2SK2489-4102概述

Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 180V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

2SK2489-4102规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, S-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压180 V
最大漏极电流 (ID)10 A
最大漏源导通电阻0.25 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码S-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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