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T3160N18TOFVT

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 3160000mA I(T), 1800V V(DRM)
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小275KB,共10页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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T3160N18TOFVT概述

Silicon Controlled Rectifier, 3160000mA I(T), 1800V V(DRM)

T3160N18TOFVT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
标称电路换相断开时间250 µs
关态电压最小值的临界上升速率1000 V/us
最大直流栅极触发电流250 mA
最大直流栅极触发电压2.5 V
最大维持电流300 mA
最大漏电流250 mA
通态非重复峰值电流63000 A
最大通态电压2.04 V
最大通态电流3160000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
断态重复峰值电压1800 V
触发设备类型SCR

T3160N18TOFVT相似产品对比

T3160N18TOFVT T3160N12TOFVT T3160N16TOFVT T3160N14TOFVT
描述 Silicon Controlled Rectifier, 3160000mA I(T), 1800V V(DRM) Silicon Controlled Rectifier, 3160000mA I(T), 1200V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 3160000mA I(T), 1600V V(DRM) Silicon Controlled Rectifier, 3160000mA I(T), 1400V V(DRM)
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
标称电路换相断开时间 250 µs 250 µs 250 µs 250 µs
关态电压最小值的临界上升速率 1000 V/us 1000 V/us 1000 V/us 1000 V/us
最大直流栅极触发电流 250 mA 250 mA 250 mA 250 mA
最大直流栅极触发电压 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
最大维持电流 300 mA 300 mA 300 mA 300 mA
最大漏电流 250 mA 250 mA 250 mA 250 mA
通态非重复峰值电流 63000 A 63000 A 63000 A 63000 A
最大通态电流 3160000 A 3160000 A 3160000 A 3160000 A
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
断态重复峰值电压 1800 V 1200 V 1600 V 1400 V
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 -
最大通态电压 2.04 V 2.04 V - 2.04 V

 
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