Silicon Controlled Rectifier, 3160000mA I(T), 1800V V(DRM)
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
标称电路换相断开时间 | 250 µs |
关态电压最小值的临界上升速率 | 1000 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 250 mA |
最大直流栅极触发电压 | 2.5 V |
最大维持电流 | 300 mA |
最大漏电流 | 250 mA |
通态非重复峰值电流 | 63000 A |
最大通态电压 | 2.04 V |
最大通态电流 | 3160000 A |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
断态重复峰值电压 | 1800 V |
触发设备类型 | SCR |
T3160N18TOFVT | T3160N12TOFVT | T3160N16TOFVT | T3160N14TOFVT | |
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描述 | Silicon Controlled Rectifier, 3160000mA I(T), 1800V V(DRM) | Silicon Controlled Rectifier, 3160000mA I(T), 1200V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 3160000mA I(T), 1600V V(DRM) | Silicon Controlled Rectifier, 3160000mA I(T), 1400V V(DRM) |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant |
标称电路换相断开时间 | 250 µs | 250 µs | 250 µs | 250 µs |
关态电压最小值的临界上升速率 | 1000 V/us | 1000 V/us | 1000 V/us | 1000 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 250 mA | 250 mA | 250 mA | 250 mA |
最大直流栅极触发电压 | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
最大维持电流 | 300 mA | 300 mA | 300 mA | 300 mA |
最大漏电流 | 250 mA | 250 mA | 250 mA | 250 mA |
通态非重复峰值电流 | 63000 A | 63000 A | 63000 A | 63000 A |
最大通态电流 | 3160000 A | 3160000 A | 3160000 A | 3160000 A |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
断态重复峰值电压 | 1800 V | 1200 V | 1600 V | 1400 V |
触发设备类型 | SCR | SCR | SCR | SCR |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | - |
最大通态电压 | 2.04 V | 2.04 V | - | 2.04 V |
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