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203CNQ100D

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小114KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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203CNQ100D概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2

203CNQ100D规格参数

参数名称属性值
Objectid1453875951
包装说明ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
应用POWER
外壳连接ANODE AND CATHODE
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-XUFM-X2
最大非重复峰值正向电流2000 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最大输出电流100 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER

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CPT20080-CPT200100
A
R
G
Baseplate
A=Common Anode
B
Q
N
W
Baseplate
Common Cathode
U
C
H
V
E
Notes:
Baseplate: Nickel plated
copper
Baseplate
D=Doubler
Schottky PowerMod
Dim. Inches
Min.
A
B
C
E
F
G
H
N
Q
R
U
V
W
Millimeters
Min.
Max.
Notes
Max.
F
U
---
3.630
0.800
0.700
0.630
---
0.130
0.120
0.510
0.490
1.375 BSC
---
0.010
---
---
0.275
0.290
3.150 BSC
0.600
---
0.312
0.340
0.180
0.195
---
92.20
17.78
20.32
---
16.00
3.30
3.05
12.45
12.95
34.92 BSC
---
0.25
---
---
6.99
7.37
80.01 BSC
15.24
---
7.92
8.64
4.57
4.95
1/4-20
Dia.
Dia.
Microsemi
Catalog Number
CPT20080*
CPT20090*
CPT200100*
Industry
Part Number
203CNQ080
MBR12080CT
MBR20080CT
203CNQ100
MBR120100CT
MBR200100CT
Working Peak Repetitive Peak
Reverse Voltage Reverse Voltage
80V
90V
100V
80V
90V
100V
Schottky Barrier Rectifier
Guard Ring Protection
200 Amperes/ 80 to 100 Volts
175 C Junction Temperature
Reverse Energy Tested
ROHS Compliant
*Add Suffix A for Common Anode, D for Doubler
Electrical Characteristics
I F(AV) 200 Amps
Average forward current per pkg
I F(AV) 100 Amps
Average forward current per leg
I FSM
2000 Amps
Maximum surge current per leg
Maximum repetitive reverse current per leg I R(OV) 2 Amps
VFM
0.98 Volts
Max peak forward voltage per leg
VFM
.86 Volts
Typical forward voltage per leg
I RM
75 mA
Max peak reverse current per leg
I RM
4.0 mA
Max peak reverse current per leg
CJ
3000 pF
Typical junction capacitance per leg
TC = 135°C, Square wave, R 0JC =0.20°C/W
TC = 135°C, Square wave, R0JC =0.40°C/W
8.3ms, half sine,T J = 175°C
f = 1 KHZ, 25°C, 1µsec square wave
I FM = 200A: J = 25°C*
T
I FM = 200A: J = 175°C*
T
VRRM, TJ = 125°C*
VRRM, TJ = 25°C
VR = 5.0V,TC = 25°C
*Pulse test: Pulse width 300µsec, Duty cycle 2%
Thermal and Mechanical Characteristics
Storage temp range
Operating junction temp range
Max thermal resistance per leg
Max thermal resistance per pkg
Typical thermal resistance (greased)
Terminal Torque
Mounting Base Torque (outside holes)
Mounting Base Torque (center hole)
center hole must be torqued first
Weight
T STG
TJ
R OJC
R OJC
R OCS
-55°C to 175°C
-55°C to 175°C
0.40°C/W Junction to case
0.20°C/W Junction to case
0.08°C/W Case to sink
35-50 inch pounds
30-40 inch pounds
8-10 inch pounds
2.8 ounces (75 grams) typical
www.microsemi.com
January, 2010 - Rev. 4

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