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MRF838A

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小13KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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MRF838A概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,

MRF838A规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.6 A
基于收集器的最大容量7.5 pF
集电极-发射极最大电压18 V
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)10
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码O-CRPM-F4
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)2.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

MRF838A文档预览

MRF838A
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
MRF838A
is a Common Emitter
Device Designed for Class A, B and C
Amplifier Applications up to 1.0 GHz.
PACKAGE STYLE .205 4L STUD
D
4
3
A
2
1
C
FEATURES INCLUDE:
Gold Metallization
Emitter Ballasting
High Gain
H
B
G
F
E
#8-32UNC
J
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CBO
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
O
O
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
M INIM UM
inches / m m
M AXIM UM
inches / m m
600 mA
36 V
8.75 W @ T
C
= 25 C
-65 Cto +200 C
-65 Cto +200 C
20 C/W
O
O
O
O
.976 / 24.800
.976 / 24.800
.028 / 0.700
.138 / 3.500
.161 / 4.100
.098 / 2.500
.200 / 5.100
.004 / 0.100
.425 / 10.800
.200 / 5.100
1.000 / 25.4000
1.000 / 25.4000
.031 / 0.800
.196 / 5.000
.110 / 2.800
.208 / 5.300
.006 / 0.150
.465 / 11.800
2.05 / 5.200
1 & 3 = EMITER
2 = BASE
4 = COLLECTOR
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CES
BV
CEO
BV
EBO
h
FE
C
OB
P
G
η
C
I
C
= 10 mA
I
C
= 10 mA
I
E
= 1.0 mA
V
CE
= 5.0 V
T
C
= 25 C
O
TEST CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
36
18
4.0
UNITS
V
V
V
---
I
C
= 150 mA
f = 1.0 MHz
P
OUT
= 1.0 W
f = 870 MHz
20
7.5
6.5
50
7.5
V
CB
= 12.5 V
V
CE
= 12.5 V
pF
dB
%
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
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