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JANTXV2N7224

产品描述Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小52KB,共2页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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JANTXV2N7224概述

Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA

JANTXV2N7224规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)34 A
最大漏源导通电阻0.081 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-254AA
JESD-30 代码S-MSFM-P3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)136 A
认证状态Not Qualified
参考标准MILITARY STANDARD (USA)
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)300 ns
最大开启时间(吨)225 ns
Base Number Matches1

JANTXV2N7224相似产品对比

JANTXV2N7224 JANTX2N7224
描述 Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA
包装说明 FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V
最大漏极电流 (ID) 34 A 34 A
最大漏源导通电阻 0.081 Ω 0.081 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-254AA TO-254AA
JESD-30 代码 S-MSFM-P3 S-MSFM-P3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 SQUARE SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 150 W 150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 136 A 136 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
参考标准 MILITARY STANDARD (USA) MILITARY STANDARD (USA)
表面贴装 NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 300 ns 300 ns
最大开启时间(吨) 225 ns 225 ns
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