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U631H64SK25: 产品描述Non-Volatile SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP1-28; 产品类别存储存储; 文件大小271KB，共12页; 制造商Zentrum Mikroelektronik Dresden AG (IDT)

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U631H64SK25概述

Non-Volatile SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP1-28

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Zentrum Mikroelektronik Dresden AG (IDT)
零件包装代码	SOIC
包装说明	SOP, SOP28,.5
针数	28
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	25 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G28
JESD-609代码	e0
长度	18.1 mm
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	NON-VOLATILE SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	28
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	8KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	SOP28,.5
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.54 mm
最大待机电流	0.001 A
最大压摆率	0.095 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	8.75 mm

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