Dual, High Precision, Rail-to-Rail Output Operational Amplifier 10-CFP -55 to 125
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Texas Instruments |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | CERAMIC, SOIC-10 |
| 针数 | 10 |
| Reach Compliance Code | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.000003 µA |
| 最小共模抑制比 | 95 dB |
| 标称共模抑制比 | 130 dB |
| 最大输入失调电压 | 36 µV |
| JESD-30 代码 | R-CDSO-G10 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 2 |
| 端子数量 | 10 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | SOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V |
| 座面最大高度 | 2.33 mm |
| 标称压摆率 | 4 V/us |
| 最大压摆率 | 1.2 mA |
| 供电电压上限 | 5.8 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 总剂量 | 50k Rad(Si) V |
| 标称均一增益带宽 | 3000 kHz |
| 宽度 | 6.12 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 5962L0620602VZA | LMP2012WGLQMLV | LMP2012WGLLQMLV | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Dual, High Precision, Rail-to-Rail Output Operational Amplifier 10-CFP -55 to 125 | Dual, High Precision, Rail-to-Rail Output Operational Amplifier 10-CFP -55 to 125 | Dual, High Precision, Rail-to-Rail Output Operational Amplifier 10-CFP -55 to 125 |
| Brand Name | Texas Instruments | Texas Instruments | - |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | - |
| 零件包装代码 | SOIC | SOIC | - |
| 包装说明 | CERAMIC, SOIC-10 | SOP, SOP10,.4 | - |
| 针数 | 10 | 10 | - |
| Reach Compliance Code | _compli | _compli | - |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | - |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.000003 µA | 0.000003 µA | - |
| 最小共模抑制比 | 95 dB | 95 dB | - |
| 标称共模抑制比 | 130 dB | 130 dB | - |
| 最大输入失调电压 | 36 µV | 36 µV | - |
| JESD-30 代码 | R-CDSO-G10 | R-CDSO-G10 | - |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | - |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | - |
| 功能数量 | 2 | 2 | - |
| 端子数量 | 10 | 10 | - |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | - |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | - |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | - |
| 封装代码 | SOP | SOP | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 认证状态 | Qualified | Not Qualified | - |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V | 38535V;38534K;883S | - |
| 座面最大高度 | 2.33 mm | 2.34 mm | - |
| 标称压摆率 | 4 V/us | 4 V/us | - |
| 最大压摆率 | 1.2 mA | 1.2 mA | - |
| 供电电压上限 | 5.8 V | 5.8 V | - |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | - |
| 表面贴装 | YES | YES | - |
| 技术 | CMOS | CMOS | - |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | - |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | - |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | - |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 总剂量 | 50k Rad(Si) V | 50k Rad(Si) V | - |
| 标称均一增益带宽 | 3000 kHz | 3000 kHz | - |
| 宽度 | 6.12 mm | 6.121 mm | - |
| Base Number Matches | 1 | 1 | - |
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