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2N6163

产品描述TRIAC, 200V V(DRM), 50A I(T)RMS,
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小44KB,共1页
制造商Semitronics Corp
相似器件已查找到1个与2N6163功能相似器件
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2N6163概述

TRIAC, 200V V(DRM), 50A I(T)RMS,

2N6163规格参数

参数名称属性值
包装说明POST/STUD MOUNT, O-MXPM-D2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
最大直流栅极触发电流60 mA
最大直流栅极触发电压2 V
最大维持电流200 mA
JESD-30 代码O-MXPM-D2
最大漏电流2 mA
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-60 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
认证状态Not Qualified
最大均方根通态电流50 A
断态重复峰值电压200 V
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UNSPECIFIED
触发设备类型TRIAC
Base Number Matches1

与2N6163功能相似器件

器件名 厂商 描述
2N6163 Advanced Semiconductor, Inc. TRIAC, 200V V(DRM), 20A I(T)RMS,
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