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JAN2N1486

产品描述Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-8, Metal, 3 Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小43KB,共1页
制造商API Technologies
官网地址http://www.apitech.com/about-api
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JAN2N1486概述

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-8, Metal, 3 Pin

JAN2N1486规格参数

参数名称属性值
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压55 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)35
JEDEC-95代码TO-8
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值25 W
认证状态Not Qualified
参考标准MIL
表面贴装NO
端子面层NOT SPECIFIED
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max0.75 V
Base Number Matches1
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