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IS61LPD51218T-225TQ

产品描述Cache SRAM, 512KX18, 2.8ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
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文件大小172KB,共29页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IS61LPD51218T-225TQ概述

Cache SRAM, 512KX18, 2.8ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

IS61LPD51218T-225TQ规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码QFP
包装说明TQFP-100
针数100
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间2.8 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)225 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度20 mm
内存密度9437184 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量100
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装等效代码QFP100,.63X.87
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.03 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度14 mm
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