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JAN2N6800

产品描述Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小69KB,共1页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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JAN2N6800概述

Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205

JAN2N6800规格参数

参数名称属性值
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Codeunknow
配置SINGLE
最小漏源击穿电压400 V
最大漏极电流 (ID)3 A
最大漏源导通电阻1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-205
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值25 W
认证状态Not Qualified
参考标准MILITARY STANDARD (USA)
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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