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FMMT660

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SUPERSOT-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小50KB,共2页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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FMMT660概述

Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SUPERSOT-3

FMMT660规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Fairchild
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)75 MHz

FMMT660文档预览

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
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FMMT660相似产品对比

FMMT660 FMMT660A
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SUPERSOT-3 Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SUPERSOT-3
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Fairchild Fairchild
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 2 A 2 A
集电极-发射极最大电压 60 V 60 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100 250
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.5 W 0.5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 75 MHz 75 MHz
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