Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-78,
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
Reach Compliance Code | unknow |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
FET 技术 | JUNCTION |
JEDEC-95代码 | TO-78 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W6 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 6 |
工作模式 | DEPLETION MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 0.5 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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