电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

2N4361E3

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 100V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小158KB,共3页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
相似器件已查找到1个与2N4361E3功能相似器件
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2N4361E3概述

Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 100V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN

2N4361E3规格参数

参数名称属性值
包装说明TO-94, 3 PIN
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最大直流栅极触发电流100 mA
JEDEC-95代码TO-209AC
JESD-30 代码O-MUPM-H3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度125 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
最大均方根通态电流110 A
重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
端子形式HIGH CURRENT CABLE
端子位置UPPER
触发设备类型SCR
Base Number Matches1

2N4361E3相似产品对比

2N4361E3 2N4363E3 2N4364E3 2N4365E3 CSD18536KCS_15 2N4367E3 2N1807E3 2N1806E3
描述 Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 100V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 400V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 600V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN CSD18536KCS 60 V N-Channel NexFET Power MOSFET Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 700V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 600V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN
包装说明 TO-94, 3 PIN TO-94, 3 PIN TO-94, 3 PIN POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 - POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow - unknow compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE
最大直流栅极触发电流 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA - 100 mA 100 mA 100 mA
JEDEC-95代码 TO-209AC TO-209AC TO-209AC TO-209AC - TO-209AC TO-209AC TO-209AC
JESD-30 代码 O-MUPM-H3 O-MUPM-H3 O-MUPM-H3 O-MUPM-H3 - O-MUPM-H3 O-MUPM-H3 O-MUPM-H3
元件数量 1 1 1 1 - 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 - 3 3 3
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C - 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C - -65 °C -65 °C -65 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL - METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND - ROUND ROUND ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT - POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT
最大均方根通态电流 110 A 110 A 110 A 110 A - 110 A 110 A 110 A
重复峰值反向电压 100 V 400 V 600 V 800 V - 1200 V 700 V 600 V
表面贴装 NO NO NO NO - NO NO NO
端子形式 HIGH CURRENT CABLE HIGH CURRENT CABLE HIGH CURRENT CABLE HIGH CURRENT CABLE - HIGH CURRENT CABLE HIGH CURRENT CABLE HIGH CURRENT CABLE
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER - UPPER UPPER UPPER
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR - SCR SCR SCR
Base Number Matches 1 1 1 1 - 1 1 1

与2N4361E3功能相似器件

器件名 厂商 描述
2N4361 POWEREX thyristor stud 100v 70a TO-94

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 186  564  916  1676  1680 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved