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CHT2222A

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ULTRA MINIATURE, HERMETIC SEALED, CERAMIC, CERSOT-23, LCC-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小37KB,共1页
制造商Central Semiconductor
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CHT2222A概述

Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ULTRA MINIATURE, HERMETIC SEALED, CERAMIC, CERSOT-23, LCC-3

CHT2222A规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
零件包装代码DLCC
包装说明ULTRA MINIATURE, HERMETIC SEALED, CERAMIC, CERSOT-23, LCC-3
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
基于收集器的最大容量8 pF
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JESD-30 代码R-CDSO-N3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)300 MHz
最大关闭时间(toff)285 ns
VCEsat-Max1 V

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CHT2222A相似产品对比

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描述 Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ULTRA MINIATURE, HERMETIC SEALED, CERAMIC, CERSOT-23, LCC-3 RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN, ULTRA MINIATURE, HERMETIC SEALED, CERAMIC, CERSOT-23, LCC-3 Small Signal Bipolar Transistor, 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ULTRA MINIATURE, HERMETIC SEALED, CERAMIC, CERSOT-23, LCC-3 Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ULTRA MINIATURE, HERMETIC SEALED, CERAMIC, CERSOT-23, LCC-3
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 DLCC DLCC DLCC DLCC
包装说明 ULTRA MINIATURE, HERMETIC SEALED, CERAMIC, CERSOT-23, LCC-3 ULTRA MINIATURE, HERMETIC SEALED, CERAMIC, CERSOT-23, LCC-3 ULTRA MINIATURE, HERMETIC SEALED, CERAMIC, CERSOT-23, LCC-3 ULTRA MINIATURE, HERMETIC SEALED, CERAMIC, CERSOT-23, LCC-3
针数 3 3 3 3
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
基于收集器的最大容量 8 pF 1.7 pF 4 pF 8 pF
集电极-发射极最大电压 40 V 15 V 15 V 60 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40 20 20 50
JESD-30 代码 R-CDSO-N3 R-CDSO-N3 R-CDSO-N3 R-CDSO-N3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING AMPLIFIER SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 300 MHz 600 MHz 500 MHz 200 MHz
VCEsat-Max 1 V 0.4 V 0.5 V 1.6 V
厂商名称 Central Semiconductor - Central Semiconductor Central Semiconductor
最大关闭时间(toff) 285 ns - 18 ns 100 ns

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