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SMBJ8.0-GT3

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, LEAD FREE, PLASTIC, SMB, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小256KB,共5页
制造商Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
标准
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SMBJ8.0-GT3概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, LEAD FREE, PLASTIC, SMB, 2 PIN

SMBJ8.0-GT3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性UL RECOGNIZED
最大击穿电压11.3 V
最小击穿电压8.99 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压8 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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Dim
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B
C
D
E
F
G
H
Min
Max
Min
Max
3.30
3.94
4.06
4.70
1.91
2.11
0.152 0.305
5.08
5.59
2.13
2.44
0.051 0.203
0.76
1.27
in mm
0.130 0.155
0.160 0.185
0.075 0.083
0.006 0.012
0.2 0.220
0.084 0.096
0.002 0.008
0.029 0.05
In inch

                                                 

































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