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TLV2342IDR: 产品描述Dual LinCMOS™ Low-Voltage High-Speed Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85; 产品类别模拟混合信号IC 放大器电路; 文件大小988KB，共39页; 制造商Texas Instruments(德州仪器); 官网地址http://www.ti.com.cn/; 标准; 相似器件已查找到3个与TLV2342IDR功能相似器件

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TLV2342IDR概述

Dual LinCMOS™ Low-Voltage High-Speed Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85

TLV2342IDR规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	Texas Instruments
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码	SOIC
包装说明	SOP, SOP8,.25
针数	8
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	1 week
放大器类型	OPERATIONAL AMPLIFIER
架构	VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)	0.002 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)	0.002 µA
最小共模抑制比	60 dB
标称共模抑制比	60 dB
频率补偿	YES
最大输入失调电压	11000 µV
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e4
长度	4.9 mm
低-偏置	YES
低-失调	NO
微功率	NO
湿度敏感等级	1
功能数量	2
端子数量	8
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	SOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
包装方法	TAPE AND REEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
功率	NO
电源	3/5 V
可编程功率	NO
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.75 mm
标称压摆率	2.9 V/us
最大压摆率	4.4 mA
供电电压上限	8 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽	1700 kHz
最小电压增益	3500
宽带	NO
宽度	3.9 mm

TLV2342IDR相似产品对比

	TLV2342IDR	TLV2344IN	TLV2342IP	TLV2342ID	TLV2342IPW	TLV2342IDRG4	TLV2342IPWG4
描述	Dual LinCMOS™ Low-Voltage High-Speed Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85	Quad LinCMOS™ Low-Voltage High-Speed Operational Amplifier 14-PDIP -40 to 85	Dual LinCMOS™ Low-Voltage High-Speed Operational Amplifier 8-PDIP -40 to 85	Dual LinCMOS™ Low-Voltage High-Speed Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85	Dual LinCMOS™ Low-Voltage High-Speed Operational Amplifier 8-TSSOP -40 to 85	Dual LinCMOS™ Low-Voltage High-Speed Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85	Dual LinCMOS™ Low-Voltage High-Speed Operational Amplifier 8-TSSOP -40 to 85
Brand Name	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	SOIC	DIP	DIP	SOIC	SOIC	SOIC	SOIC
包装说明	SOP, SOP8,.25	DIP, DIP14,.3	DIP, DIP8,.3	SOP, SOP8,.25	TSSOP, TSSOP8,.25	SOP, SOP8,.25	TSSOP, TSSOP8,.25
针数	8	14	8	8	8	8	8
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
放大器类型	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER
架构	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)	0.002 µA	0.002 µA	0.0002 µA	0.0002 µA	0.0002 µA	0.002 µA	0.002 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)	0.002 µA	0.002 µA	0.002 µA	0.002 µA	0.002 µA	0.002 µA	0.002 µA
标称共模抑制比	60 dB	60 dB	80 dB	80 dB	80 dB	60 dB	78 dB
频率补偿	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大输入失调电压	11000 µV	12000 µV	9000 µV	9000 µV	9000 µV	11000 µV	11000 µV
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDIP-T14	R-PDIP-T8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e4	e4	e4	e4	e4	e4	e4
长度	4.9 mm	19.305 mm	9.81 mm	4.9 mm	4.4 mm	4.9 mm	4.4 mm
低-偏置	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
低-失调	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
微功率	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
功能数量	2	4	2	2	2	2	2
端子数量	8	14	8	8	8	8	8
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	DIP	DIP	SOP	TSSOP	SOP	TSSOP
封装等效代码	SOP8,.25	DIP14,.3	DIP8,.3	SOP8,.25	TSSOP8,.25	SOP8,.25	TSSOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260	260	260	260
功率	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
电源	3/5 V	3/5 V	3/5 V	3/5 V	3/5 V	3/5 V	3/5 V
可编程功率	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.75 mm	5.08 mm	5.08 mm	1.75 mm	1.2 mm	1.75 mm	1.2 mm
标称压摆率	2.9 V/us	2.9 V/us	3.6 V/us	3.6 V/us	3.6 V/us	2.9 V/us	1.7 V/us
最大压摆率	4.4 mA	8 mA	1.6 mA	1.6 mA	1.6 mA	4.4 mA	4.4 mA
供电电压上限	8 V	8 V	8 V	8 V	8 V	8 V	8 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	3 V	5 V	3 V
表面贴装	YES	NO	NO	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	0.65 mm	1.27 mm	0.65 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽	1700 kHz	1700 kHz	320 kHz	320 kHz	320 kHz	1700 kHz	790 kHz
最小电压增益	3500	3000	3000	3000	3000	3500	2000
宽带	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
宽度	3.9 mm	7.62 mm	6.35 mm	3.91 mm	3 mm	3.9 mm	3 mm
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)	-	-	-	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)
Factory Lead Time	1 week	1 week	1 week	1 week	1 week	-	-
最小共模抑制比	60 dB	65 dB	65 dB	65 dB	65 dB	60 dB	-
湿度敏感等级	1	-	-	1	1	1	1
包装方法	TAPE AND REEL	TUBE	TUBE	TUBE	TUBE	TAPE AND REEL	-
是否无铅	-	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	-	-

与TLV2342IDR功能相似器件

器件名	厂商	描述
TLV2342ID	Texas Instruments(德州仪器)	Dual LinCMOS™ Low-Voltage High-Speed Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85
TLV2342IDG4	Texas Instruments(德州仪器)	Operational Amplifiers - Op Amps Dual LinCMOS(TM) Lo Vltg Hi-Spd Op Amp
TLV2342IDRG4	Texas Instruments(德州仪器)	Dual LinCMOS™ Low-Voltage High-Speed Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85

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