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JANTXV2N3999

产品描述Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3 Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小295KB,共5页
制造商API Technologies
官网地址http://www.apitech.com/about-api
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JANTXV2N3999概述

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3 Pin

JANTXV2N3999规格参数

参数名称属性值
包装说明POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)80
JEDEC-95代码TO-111
JESD-30 代码O-MUPM-D3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度175 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)2 W
认证状态Not Qualified
参考标准MIL
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)60 MHz
VCEsat-Max0.25 V
Base Number Matches1
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