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2N3873

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 11000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element,
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小225KB,共4页
制造商Semitronics Corp
相似器件已查找到4个与2N3873功能相似器件
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2N3873概述

Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 11000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element,

2N3873规格参数

参数名称属性值
包装说明PRESS FIT, O-MUPF-D2
Reach Compliance Codeunknow
标称电路换相断开时间40 µs
配置SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率50 V/us
最大直流栅极触发电流40 mA
最大直流栅极触发电压1.6 V
JESD-30 代码O-MUPF-D2
最大漏电流4 mA
通态非重复峰值电流350 A
元件数量1
端子数量2
最大通态电流11000 A
最高工作温度100 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式PRESS FIT
认证状态Not Qualified
最大均方根通态电流35 A
断态重复峰值电压600 V
重复峰值反向电压600 V
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
触发设备类型SCR
Base Number Matches1

与2N3873功能相似器件

器件名 厂商 描述
2N3873 Digitron SILICON CONTROLLED RECTIFIERS REVERSE BLOCKING TRIODE THYRISTOR
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