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K6T0808V1D-TB100

产品描述Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28
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文件大小153KB,共9页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K6T0808V1D-TB100概述

Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28

K6T0808V1D-TB100规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP1,
针数28
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间100 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G28
JESD-609代码e0
长度11.8 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子节距0.55 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度8 mm
中断及定时器问题
void main(void){P2=0X0F;EA=1;IT1=1;ET0=1;TMOD=0X01;TH0=-5000/256;//计时0.01秒TL0=-5000/256;TR0=1;FOR(;;);}//定时计数器0的中断服务程序void timer0(void) interupt 1using 1[b]{TH0=-5000/256;TL0=-5000/256;[/b]buffer[0]==...
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