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WE128K8200CI: 产品描述EEPROM Module, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32; 产品类别存储存储; 文件大小678KB，共13页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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WE128K8200CI概述

EEPROM Module, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Microsemi
零件包装代码	DIP
包装说明	HERMETIC SEALED, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
针数	32
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	200 ns
JESD-30 代码	R-CDIP-T32
JESD-609代码	e4
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	EEPROM MODULE
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX8
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
编程电压	5 V
认证状态	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	GOLD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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