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CSD25303W1015

产品描述MOSFET PCh NexFET Pwr MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小182KB,共11页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
敬请期待 详细参数

CSD25303W1015在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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CSD25303W1015概述

MOSFET PCh NexFET Pwr MOSFET

CSD25303W1015规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码CSP
包装说明GRID ARRAY, R-PBGA-B6
针数6
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3 A
最大漏极电流 (ID)3 A
最大漏源导通电阻0.092 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)65 pF
JESD-30 代码R-PBGA-B6
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式BALL
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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