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JANTXV2N5661

产品描述Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小82KB,共1页
制造商Defense Logistics Agency
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JANTXV2N5661概述

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin,

JANTXV2N5661规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压300 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
JEDEC-95代码TO-66
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/454E
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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