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2N4123D26Z

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小339KB,共11页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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2N4123D26Z概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

2N4123D26Z规格参数

参数名称属性值
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
Base Number Matches1

2N4123D26Z相似产品对比

2N4123D26Z 2N4123L34Z 2N4123D27Z 2N4123D74Z 2N4123D75Z
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.2 A 0.2 A 0.2 A 0.2 A 0.2 A
集电极-发射极最大电压 30 V 30 V 30 V 30 V 30 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 25 25 25 25 25
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1 1

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