OTP ROM, 512KX8, 150ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Atmel (Microchip) |
零件包装代码 | QFJ |
包装说明 | QCCJ, |
针数 | 32 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 150 ns |
其他特性 | UNREGULATED BATTERY POWER SUPPLY RANGE |
JESD-30 代码 | R-PQCC-J32 |
长度 | 13.97 mm |
内存密度 | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | OTP ROM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 32 |
字数 | 524288 words |
字数代码 | 512000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 512KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | QCCJ |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 3.55 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子形式 | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
宽度 | 11.43 mm |
AT27BV040-15JCT/R | AT27BV040-12JIT/R | AT27BV040-12JCT/R | AT27BV040-15JIT/R | |
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描述 | OTP ROM, 512KX8, 150ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | OTP ROM, 512KX8, 120ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | OTP ROM, 512KX8, 120ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | OTP ROM, 512KX8, 150ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
厂商名称 | Atmel (Microchip) | Atmel (Microchip) | Atmel (Microchip) | Atmel (Microchip) |
零件包装代码 | QFJ | QFJ | QFJ | QFJ |
包装说明 | QCCJ, | QCCJ, | QCCJ, | QCCJ, |
针数 | 32 | 32 | 32 | 32 |
Reach Compliance Code | unknown | compliant | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最长访问时间 | 150 ns | 120 ns | 120 ns | 150 ns |
其他特性 | UNREGULATED BATTERY POWER SUPPLY RANGE | UNREGULATED BATTERY POWER SUPPLY RANGE | UNREGULATED BATTERY POWER SUPPLY RANGE | UNREGULATED BATTERY POWER SUPPLY RANGE |
JESD-30 代码 | R-PQCC-J32 | R-PQCC-J32 | R-PQCC-J32 | R-PQCC-J32 |
长度 | 13.97 mm | 13.97 mm | 13.97 mm | 13.97 mm |
内存密度 | 4194304 bit | 4194304 bit | 4194304 bit | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | OTP ROM | OTP ROM | OTP ROM | OTP ROM |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 32 | 32 | 32 | 32 |
字数 | 524288 words | 524288 words | 524288 words | 524288 words |
字数代码 | 512000 | 512000 | 512000 | 512000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 85 °C | 70 °C | 85 °C |
组织 | 512KX8 | 512KX8 | 512KX8 | 512KX8 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | QCCJ | QCCJ | QCCJ | QCCJ |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 3.55 mm | 3.55 mm | 3.55 mm | 3.55 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL |
端子形式 | J BEND | J BEND | J BEND | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD | QUAD | QUAD | QUAD |
宽度 | 11.43 mm | 11.43 mm | 11.43 mm | 11.43 mm |
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