2K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | _compli |
ECCN代码 | EAR99 |
最大时钟频率 (fCLK) | 0.1 MHz |
数据保留时间-最小值 | 200 |
耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节 | 1DDDMMMR |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 9.46 mm |
内存密度 | 16384 bi |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
字数 | 2048 words |
字数代码 | 2000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 2KX8 |
输出特性 | OPEN-DRAIN |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 2/5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 4.32 mm |
串行总线类型 | I2C |
最大待机电流 | 0.00003 A |
最大压摆率 | 0.003 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 7.62 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
写保护 | HARDWARE |
Base Number Matches | 1 |
24AA164/P | 24AA164/SN | 24AA164T/SN | |
---|---|---|---|
描述 | 2K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8 | 2K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8 | 2K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8 |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
零件包装代码 | DIP | SOIC | SOIC |
包装说明 | DIP, DIP8,.3 | 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8 | 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8 |
针数 | 8 | 8 | 8 |
Reach Compliance Code | _compli | _compli | _compli |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最大时钟频率 (fCLK) | 0.1 MHz | 0.1 MHz | 0.1 MHz |
数据保留时间-最小值 | 200 | 200 | 200 |
耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节 | 1DDDMMMR | 1DDDMMMR | 1DDDMMMR |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
长度 | 9.46 mm | 4.9 mm | 4.9 mm |
内存密度 | 16384 bi | 16384 bi | 16384 bi |
内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 8 | 8 | 8 |
字数 | 2048 words | 2048 words | 2048 words |
字数代码 | 2000 | 2000 | 2000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 2KX8 | 2KX8 | 2KX8 |
输出特性 | OPEN-DRAIN | OPEN-DRAIN | OPEN-DRAIN |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP | SOP | SOP |
封装等效代码 | DIP8,.3 | SOP8,.25 | SOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
并行/串行 | SERIAL | SERIAL | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | 2/5 V | 2/5 V | 2/5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 4.32 mm | 1.75 mm | 1.75 mm |
串行总线类型 | I2C | I2C | I2C |
最大待机电流 | 0.00003 A | 0.00003 A | 0.00003 A |
最大压摆率 | 0.003 mA | 0.003 mA | 0.003 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 6 V | 6 V | 6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING | GULL WING |
端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
宽度 | 7.62 mm | 3.9 mm | 3.9 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms | 10 ms | 10 ms |
写保护 | HARDWARE | HARDWARE | HARDWARE |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved