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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> JANTXV2N5745
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JANTXV2N5745

产品描述Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小53KB，共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JANTXV2N5745在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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JANTXV2N5745概述

Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN

JANTXV2N5745规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid1916728696
零件包装代码TO-3
包装说明TO-3, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)20 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)15
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/433F
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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TECHNICAL DATA
PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/433
Devices
2N4399
2N5745
Qualified Level
JANTX
JANTXV
MAXIMUM RATINGS
Ratings
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Base Current
Collector Current
Total Power Dissipation
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
B
I
C
P
T
T
J
,
T
stg
Symbol
R
θ
JC
R
θ
JA
0
2N4399
60
60
5.0
7.5
30
2N5745
80
80
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
W
W
0
C
Unit
0
20
@ T
A
=+ 25 C
@ T
C
= +100
0
C
(2)
Operating & Storage Junction Temperature Range
0
(1)
5.0
115
-55 to +200
Max.
3
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Thermal Resistance,
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
1)
0
TO-3*
(TO-204AA)
0.875
35
C/W
2)
Derate linearly @ 28.57 mW/ C for T
A
> +25 C
Derate linearly @ 1.15 W/
0
C for T
C
> +100
0
C
*See appendix A for
package outline
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
0
C unless otherwise noted)
Characteristics
Symbol
Min.
Max.
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
C
= 200 mAdc
Collector-Emitter Cutoff Current
V
CE
= 60 Vdc
V
CE
= 80 Vdc
Collector-Emitter Cutoff Current
V
CE
= 60 Vdc, V
BE
= 1.5 Vdc
V
CE
= 80 Vdc, V
BE
= 1.5 Vdc
Emitter-Base Cutoff Current
V
EB
= 5.0 Vdc
2N4399
2N5745
2N4399
2N5745
2N4399
2N5745
V
(BR)
CEO
60
80
100
100
5.0
5.0
5.0
Vdc
I
CEO
µAdc
I
CEX
I
EBO
µAdc
µAdc
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
120101
Page 1 of 2

JANTXV2N5745相似产品对比

JANTXV2N5745 JANTXV2N4399
描述 Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
Objectid 1916728696 1916728693
零件包装代码 TO-3 TO-3
包装说明 TO-3, 2 PIN TO-3, 2 PIN
针数 2 2
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 20 A 30 A
集电极-发射极最大电压 80 V 60 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 15 15
JEDEC-95代码 TO-3 TO-3
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 200 °C 200 °C
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 PNP PNP
认证状态 Qualified Qualified
参考标准 MIL-19500/433F MIL-19500/433F
表面贴装 NO NO
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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