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JANTXV2N3902

产品描述Power Bipolar Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小173KB,共3页
制造商MACOM
官网地址http://www.macom.com
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JANTXV2N3902概述

Power Bipolar Transistor,

JANTXV2N3902规格参数

参数名称属性值
厂商名称MACOM
Reach Compliance Codecompliant
认证状态Qualified

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NPN High Power Silicon Transistors
2N3902 & 2N5157
Features
Available in JAN, JANTX, and JANTXV
per MIL-PRF-19500/371
TO-3 (TO-204AA) Package
Maximum Ratings
Ratings
Collector - Emitter Voltage
Emitter - Base Voltage
Collector - Base Voltage
Base Current
Collector Current
Total Power Dissipation @ TA = +25 °C (1)
@ TA = +25 °C (2)
Operating & Storage Temperature Range
Symbol
VCEO
VEBO
VCBO
IB
IC
PT
Tj, Tstg
2N3902
400
5.0
7.0
2.0
3.5
5.0
100
-65 to +200
2N5157
500
6.0
Units
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
W
W
°C
Thermal Characteristics
Characteristics
Thermal Resistance, Junction-to-Case
1) Derate linearly @ 28.57 mW/°C for TA > +25°C
2) Derate linearly @ 0.8 mW/°C for TC > +75°C
Symbol
R
θJC
Maximum
1.25
Units
°C/W
Electrical Characteristics
OFF Characteristics
Collector - Emitter Cutoff Current
VCE = 325 Vdc
VCE = 400 Vdc
Collector - Emitter Cutoff Current
VBE = 1.5 Vdc, VCE = 700 Vdc
Collector - Emitter Cutoff Current
VEB = 5.0 Vdc
VEB = 6.0 Vdc
2N3902
2N5157
2N3902
2N5157
Symbol
ICEO
Mimimum
---
Maximum
250
250
500
200
200
Units
μAdc
ICEX
IEBO
---
---
μAdc
μAdc
OFF Characteristics
Base - Emitter Saturation Voltage
IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Vdc
IC = 3.5 Adc, IB = 0.7 Vdc
Collector - Emitter Saturation Voltage
IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc
IC = 3.5 Adc, IB = 0.7 Adc
VBE(sat)
---
1.5
2.0
Vdc
VCE(sat)
---
---
0.8
2.5
Vdc
Revision Date: 8/5/2012
1

JANTXV2N3902相似产品对比

JANTXV2N3902 JAN2N3902
描述 Power Bipolar Transistor, Power Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, SIMILAR TO TO-3, 2 PIN
厂商名称 MACOM MACOM
Reach Compliance Code compliant compliant
认证状态 Qualified Qualified
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