4K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8
| 参数名称 | 属性值 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 0.4 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 200 |
| 耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles |
| I2C控制字节 | 1010DDDR |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
| 长度 | 9.46 mm |
| 内存密度 | 32768 bi |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 4096 words |
| 字数代码 | 4000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 4KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 电源 | 1.8/6 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.32 mm |
| 串行总线类型 | I2C |
| 最大待机电流 | 0.000002 A |
| 最大压摆率 | 0.003 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 7.62 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms |
| Base Number Matches | 1 |
| 24AA32/P | 24AA32/SM | 24AA32T/SM | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 4K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8 | 4K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8 | 4K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8 |
| 零件包装代码 | DIP | SOIC | SOIC |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.3 | SOP, SOP8,.3 | SOP, SOP8,.3 |
| 针数 | 8 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED | DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED | DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 0.4 MHz | 0.4 MHz | 0.4 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 200 | 200 | 200 |
| 耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles |
| I2C控制字节 | 1010DDDR | 1010DDDR | 1010DDDR |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
| 长度 | 9.46 mm | 5.28 mm | 5.28 mm |
| 内存密度 | 32768 bi | 32768 bi | 32768 bi |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 | 8 |
| 字数 | 4096 words | 4096 words | 4096 words |
| 字数代码 | 4000 | 4000 | 4000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 4KX8 | 4KX8 | 4KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | SOP | SOP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 | SOP8,.3 | SOP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | SERIAL | SERIAL | SERIAL |
| 电源 | 1.8/6 V | 1.8/6 V | 1.8/6 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.32 mm | 2.03 mm | 2.03 mm |
| 串行总线类型 | I2C | I2C | I2C |
| 最大待机电流 | 0.000002 A | 0.000002 A | 0.000002 A |
| 最大压摆率 | 0.003 mA | 0.003 mA | 0.003 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 6 V | 6 V | 6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 宽度 | 7.62 mm | 5.21 mm | 5.21 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms | 5 ms | 5 ms |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
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