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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> JANSR2N7373
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JANSR2N7373

产品描述Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小157KB，共3页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JANSR2N7373概述

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN

JANSR2N7373规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-254AA
包装说明FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-254AA
JESD-30 代码S-XSFM-P3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/613
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http: //www.microsemi.com
RADIATION HARDENED
NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/613
DEVICES
LEVELS
2N7373
JANSM – 3K Rads (Si)
JANSD – 10K Rads (Si)
JANSP – 30K Rads (Si)
JANSL – 50K Rads (Si)
JANSR – 100K Rads (Si)
JANSF – 300K Rads (Si)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= +25°C unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
@ T
A
= +25°C
(1)
@ T
C
= +25°C
(2)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
T
j
, T
stg
R
θJC
Value
80
100
5.0
5.0
4.0
58
-65 to +200
3
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
W
°C
°C/W
Operating & Storage Junction Temperature Range
Thermal Resistance, Junction-to Case
1)
2)
Derate linearly 22.8mW/°C for T
A
> 25°C
Derate linearly 331mW/°C for T
C
> 25°C
TO-254AA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= +25°C, unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
C
= 100mAdc
Collector-Emitter Cutoff Current
V
CE
= 60Vdc, V
BE
= 0Vdc
V
CE
= 100Vdc, V
BE
= 0Vdc
Collector-Emitter Cutoff Current
V
CE
= 40Vdc, I
B
= 0
Emitter-Base Cutoff Current
V
EB
= 4.0Vdc
V
EB
= 5.5Vdc
T4-LDS-0133 Rev. 1 (091478)
V
(BR)CEO
I
CES1
I
CES2
I
CEO
I
EBO1
I
EBO2
80
Vdc
Symbol
Min.
Max.
Unit
PIN 1 = BASE
PIN 2 = COLLECTOR
PIN 3 = EMITTER
SEE FIGURE 1
1.0
1.0
µAdc
mAdc
50
1.0
1.0
µAdc
µAdc
mAdc
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JANSR2N7373 JANSL2N7373 JANSP2N7373 JANSM2N7373
描述 Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 TO-254AA TO-254AA TO-254AA TO-254AA
包装说明 FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
针数 3 3 3 3
Reach Compliance Code compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 5 A 5 A 5 A 5 A
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V 80 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40 40 40 40
JEDEC-95代码 TO-254AA TO-254AA TO-254AA TO-254AA
JESD-30 代码 S-XSFM-P3 S-XSFM-P3 S-XSFM-P3 S-XSFM-P3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
认证状态 Qualified Qualified Qualified Qualified
参考标准 MIL-19500/613 MIL-19500/613 MIL-19500/613 MIL-19500/613
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1 1

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