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JANTXV2N6350: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-33, TO-33, 4 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小42KB，共1页; 制造商Defense Logistics Agency

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JANTXV2N6350概述

Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-33, TO-33, 4 PIN

JANTXV2N6350规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	TO-33
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
针数	4
Reach Compliance Code	unknow
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	5 A
配置	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	2000
JEDEC-95代码	TO-33
JESD-30 代码	O-MBCY-W4
元件数量	1
端子数量	4
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
极性/信道类型	NPN
认证状态	Qualified
参考标准	MIL-19500/472B
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	1200 ns
最大开启时间（吨）	500 ns
Base Number Matches	1

JANTXV2N6350相似产品对比

	JANTXV2N6350	JANTXV2N6351
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-33, TO-33, 4 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-33, TO-33, 4 PIN
零件包装代码	TO-33	TO-33
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W4	CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
针数	4	4
Reach Compliance Code	unknow	unknow
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	5 A	5 A
配置	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	2000	1000
JEDEC-95代码	TO-33	TO-33
JESD-30 代码	O-MBCY-W4	O-MBCY-W4
元件数量	1	1
端子数量	4	4
封装主体材料	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
极性/信道类型	NPN	NPN
认证状态	Qualified	Qualified
参考标准	MIL-19500/472B	MIL-19500/472B
表面贴装	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	1200 ns	1200 ns
最大开启时间（吨）	500 ns	500 ns
Base Number Matches	1	1

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